वैक्यूम सिंटरिंग फर्नेस कारखाना, एमआईएम सिंटरिंग फर्नेस उत्पाद

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Tungsten Carbide Gas Pressure Vacuum Sintering Furnace with 3Pa/h Leakage Rate and 1550C Temperature

अधिकतम कार्य तापमान।: 1600 ℃

कार्य -तापमान: 1550℃

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गैस प्रेशर और डीवैक्सिंग सिस्टम 1-20MPA के साथ वैक्यूम हीट ट्रीटमेंट फर्नेस

प्रमुखता देना:

vacuum heat treatment furnace with gas pressure

,

vacuum heat treatment furnace dewaxing system

,

vacuum heat treatment furnace 1-20MPA

पैकेजिंग विवरण: लकड़ी के मामले

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अति-शुद्ध तांबे की सीलिंग इलेक्ट्रोड के साथ CE ISO प्रमाणपत्र गैस प्रेशर सिंटरिंग फर्नेस 1-20MPA

प्रमुखता देना:

CE ISO certified gas sintering furnace

,

high-pressure sintering furnace 20MPA

,

copper electrode sintering furnace

पैकेजिंग विवरण: लकड़ी के मामले

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सामग्री उच्च-घनत्व प्रसंस्करण के लिए एकतरफा या द्विदिश उच्च तापमान और दबाव सिंटरिंग भट्टी

अधिकतम।: 2100

तापमान एकरूपता(℃): ≤±5

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इलेक्ट्रॉनिक सिरेमिक/पाउडर धातु विज्ञान/चुंबकीय सामग्री के लिए वैक्यूम प्रेशर हाई टेंपरेचर सिंटरिंग फर्नेस

अधिकतम।: 2100

तापमान एकरूपता(℃): ≤±5

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सीमेंट/टंगस्टन कार्बाइड काटने के उपकरण के लिए रासायनिक वाष्प अवशेष कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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पूर्ववर्ती और प्रक्रिया गैसों TiCl4 AlCl3 CH3CN H2 N2 Ar CH4 CO CO2 HCl H2S के साथ उच्च तापमान कोटिंग प्रक्रिया उपकरण

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TICL4 、 ALCL3 、 CH3CN 、 H2 、 N2 、 AR 、 CH4 、 CO 2 CO2 、 HCl 、 H2S

कोटिंग सब्सट्रेट: धातु, सिरेमिक, कांच, आदि।

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अनुकूलन योग्य 900-1050C रासायनिक वाष्प एल्यूमिनाइज़िंग फर्नेस Hf Zr और Si कोडपोजिशन के साथ

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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AICL3 पूर्ववर्ती 700-1050C प्रक्रिया तापमान पर काटने के औजारों के लिए रासायनिक वाष्प अवशोषण भट्ठी

Process temperature((℃): 700-1050

Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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700-1050C प्रक्रिया तापमान के लिए हनीकॉम्ब सिरेमिक सीवीडी कोटिंग फर्नेस और वैकल्पिक ऑफ गैस न्यूट्रलाइज़र

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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रोल सीलिंग व्हील सीवीडी कोटिंग फर्नेस के साथ सीओ पूर्ववर्ती और दूसरे चरण गैस वितरक

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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TiCL4,AICL3 के अग्रदूतों और प्रक्रिया गैसों के साथ रासायनिक वाष्प जमाव कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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उन्नत सीवीडी/सीवीआई वाष्प अवशोषण भट्ठी TiC TiN TiCN a-AL2O3 और K-AI2O3 कोटिंग के लिए 700-1050C प्रक्रिया तापमान पर

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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अनुकूलित सीवीडी लैब वैक्यूम फर्नेस रासायनिक वाष्प अवशेष सीवीडी कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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अनुकूलन योग्य TiC/TiN/TiCN/Al2O3 कोटिंग सीवीडी फर्नेस 700-1050C प्रक्रिया तापमान के साथ

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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वैक्यूम हॉट प्रेस सिंटरिंग फर्नेस जेआर टाइप इलेक्ट्रोस्टैटिक चक (एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक)

अधिकतम।: 2100

तापमान एकरूपता(℃): ≤±5

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Zhuzhou Ruideer Metallurgy Equipment Manufacturing Co.,Ltd ऑनलाइन उत्पाद

सिंटर एचआईपी फर्नेस

गैस का दबाव सिंटरिंग फर्नेस