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vacuum furnace equipment (430)  ऑनलाइन निर्माता

सिलिकॉन कार्बाइड सीवीडी कोटिंग फर्नेस ग्राफाइट ससेप्टर या एटिंग रिंग के लिए

पैकेजिंग विवरण: लकड़ी की पेटियां

प्रसव के समय: 5-6 महीने

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अनुकूलन योग्य TiC/TiN/TiCN/Al2O3 कोटिंग सीवीडी फर्नेस 700-1050C प्रक्रिया तापमान के साथ

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

सबसे अच्छी कीमत पाएं

सीमेंट/टंगस्टन कार्बाइड काटने के उपकरण के लिए रासायनिक वाष्प अवशेष कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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अच्छी कीमत उच्च ऊर्जा दक्षता गैस दबाव सेंटरिंग फर्नेस एक समान तापमान वातावरण और तेजी से ठंडा करने के लिए ऑनलाइन वीडियो

उच्च ऊर्जा दक्षता गैस दबाव सेंटरिंग फर्नेस एक समान तापमान वातावरण और तेजी से ठंडा करने के लिए

ठंड का समय: ≤1H/4H/5H/6H/8H (खाली भट्ठी, सिन्टरिंग तापमान से शीतलन 1450-100 ° C) पानी का तापमान ।26 ℃, पानी का द

आकार: अनुकूलित

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अधिकतम तापमान 1600 ℃ वैक्यूम दबाव भट्ठी, सिंटर HIP फर्नेस वैक्स संग्रह की दर 98%

नाम: वैक्यूम दबाव भट्ठी

मोम-संग्रह की दर: 98%

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अच्छी कीमत 1100C अधिकतम तापमान सीमा के साथ उच्च तापमान वैक्यूम वाष्प जमाव भट्ठी ऑनलाइन वीडियो

1100C अधिकतम तापमान सीमा के साथ उच्च तापमान वैक्यूम वाष्प जमाव भट्ठी

रिएक्टर: 2pcs

अधिकतम तापमान:: 1100 ℃

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अच्छी कीमत एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड उच्च तापमान वैक्यूम सिंटरिंग सुरक्षात्मक वातावरण गर्मी उपचार भट्ठी ऑनलाइन वीडियो

एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड उच्च तापमान वैक्यूम सिंटरिंग सुरक्षात्मक वातावरण गर्मी उपचार भट्ठी

पेंट का रंग: ग्रे, नीला, सफेद, काला। (अनुकूलित किया जा सकता है)

फर्नेस शेल सेवा जीवन: 20 साल

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अच्छी कीमत 1500C सीवीडी एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वृद्धि के लिए Epitaxy वृद्धि भट्ठी 1000 * 1000 * 1500 मिमी प्रभावी अंतरिक्ष में ऑनलाइन वीडियो

1500C सीवीडी एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वृद्धि के लिए Epitaxy वृद्धि भट्ठी 1000 * 1000 * 1500 मिमी प्रभावी अंतरिक्ष में

प्रभावी स्थान (मिमी): 1000*1000*1500

तापन शक्ति (केवीए): 300

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उन्नत सीवीडी/सीवीआई वाष्प अवशोषण भट्ठी TiC TiN TiCN a-AL2O3 और K-AI2O3 कोटिंग के लिए 700-1050C प्रक्रिया तापमान पर

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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TiCL4,AICL3 के अग्रदूतों और प्रक्रिया गैसों के साथ रासायनिक वाष्प जमाव कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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700-1050C प्रक्रिया तापमान के लिए हनीकॉम्ब सिरेमिक सीवीडी कोटिंग फर्नेस और वैकल्पिक ऑफ गैस न्यूट्रलाइज़र

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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ग्रेफाइट सामग्री के लिए उच्च तापमान औद्योगिक शुद्धिकरण भट्ठी

अधिकतम कार्य तापमान: 2400 ℃

तापमान एकरूपता: ≤±10℃

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2000C अधिकतम तापमान के साथ विशेष सिरेमिक गैस दबाव सिंटरिंग फर्नेस

बनाने वाला एजेंट: पैराफिन, खूंटी, रबर, (C12H22O5) n E.C.

तापमान माप: डब्ल्यू-आरई 5/26 थर्मोकपल+इन्फ्रारेड पाइरोमीटर

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