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high vacuum furnace (479)  ऑनलाइन निर्माता

स्वचालित नियंत्रण धातु सिंटरिंग फर्नेस विद्युत आपूर्ति AC380V 50 10% 50HZ

नाम: धातु सिंटरिंग फर्नेस

लाभ: विश्वसनीय, टिकाऊ, टिकाऊ

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अच्छी कीमत 1100C अधिकतम तापमान सीमा के साथ उच्च तापमान वैक्यूम वाष्प जमाव भट्ठी ऑनलाइन वीडियो

1100C अधिकतम तापमान सीमा के साथ उच्च तापमान वैक्यूम वाष्प जमाव भट्ठी

रिएक्टर: 2pcs

अधिकतम तापमान:: 1100 ℃

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अनुकूलन योग्य TiC/TiN/TiCN/Al2O3 कोटिंग सीवीडी फर्नेस 700-1050C प्रक्रिया तापमान के साथ

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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सीमेंट/टंगस्टन कार्बाइड काटने के उपकरण के लिए रासायनिक वाष्प अवशेष कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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उच्च स्वचालित एमआईएम सिंटरिंग फर्नेस कूलिंग अवधि 300-420min / 480min

नाम: एमआईएम सिंटरिंग फर्नेस

रंग: सफेद

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अच्छी कीमत 6MPA डिवाक्सिंग प्रेशर सिंटरिंग फर्नेस फॉर सेर्मेट्स नॉन-सेर्मेट्स प्राइसोन सेरेमिक सेमीकंडक्टर सिलिकॉन नाइट्राइड ऑनलाइन वीडियो

6MPA डिवाक्सिंग प्रेशर सिंटरिंग फर्नेस फॉर सेर्मेट्स नॉन-सेर्मेट्स प्राइसोन सेरेमिक सेमीकंडक्टर सिलिकॉन नाइट्राइड

तापमान: 1550℃-2200℃

अधिकतम.चार्ज लोड: 500 किलोग्राम/1200 किलोग्राम/1500 किलोग्राम/2500 किलोग्राम

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सिलिकॉन कार्बाइड सीवीडी कोटिंग फर्नेस ग्राफाइट ससेप्टर या एटिंग रिंग के लिए

पैकेजिंग विवरण: लकड़ी की पेटियां

प्रसव के समय: 5-6 महीने

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MT-सीवीडी एचटी-सीवीडी कोटिंग फर्नेस महान कोटिंग गुणवत्ता और अनुकूलन योग्य रिएक्टर के साथ

कोटिंग तापमान: 200-1050°C

शीतलन प्रणाली: उच्च प्रदर्शन वाले वाटर-कूल्ड कंडेनसेट ट्रैप के 2 सेट

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अच्छी कीमत 1500C सीवीडी एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वृद्धि के लिए Epitaxy वृद्धि भट्ठी 1000 * 1000 * 1500 मिमी प्रभावी अंतरिक्ष में ऑनलाइन वीडियो

1500C सीवीडी एसआईसी सिलिकॉन कार्बाइड वृद्धि के लिए Epitaxy वृद्धि भट्ठी 1000 * 1000 * 1500 मिमी प्रभावी अंतरिक्ष में

प्रभावी स्थान (मिमी): 1000*1000*1500

तापन शक्ति (केवीए): 300

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उन्नत सीवीडी/सीवीआई वाष्प अवशोषण भट्ठी TiC TiN TiCN a-AL2O3 और K-AI2O3 कोटिंग के लिए 700-1050C प्रक्रिया तापमान पर

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

कोटिंग के प्रकार: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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TiCL4,AICL3 के अग्रदूतों और प्रक्रिया गैसों के साथ रासायनिक वाष्प जमाव कोटिंग फर्नेस

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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700-1050C प्रक्रिया तापमान के लिए हनीकॉम्ब सिरेमिक सीवीडी कोटिंग फर्नेस और वैकल्पिक ऑफ गैस न्यूट्रलाइज़र

प्रक्रिया तापमान((℃): 700-1050

पूर्वगामी और प्रक्रिया गैसें: TiCL4, AICL3, CH3CN, H2, N2, Ar, CH, CO, CO2, HCI, H2S

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ग्रेफाइट सामग्री के लिए उच्च तापमान औद्योगिक शुद्धिकरण भट्ठी

अधिकतम कार्य तापमान: 2400 ℃

तापमान एकरूपता: ≤±10℃

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