2026-10-09
एल्यूमीनियम नाइट्राइड (AlN) एक क्रिस्टल है जो सहसंयोजक बंधों से प्रभावित होता है, एक षट्कोणीय हीरा-जैसे नाइट्राइड। इसमें एक अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप (6.2 eV) और एक अत्यंत बड़ी एक्सिटॉन बाइंडिंग ऊर्जा होती है, जो इसे एक प्रत्यक्ष-बैंडगैप अर्धचालक के रूप में वर्गीकृत करती है। इसकी क्रिस्टल संरचना BeO और SiC के समान है। इसके सहसंयोजक बंधों की अत्यधिक दिशात्मक प्रकृति के कारण, AlN उच्च तापीय चालकता जैसे उत्कृष्ट भौतिक और रासायनिक गुण प्रदान करता है।
केमिकल वेपर डिपोजिशन (CVD) एक प्रभावी मार्ग है जिससे समान कण आकार, उच्च शुद्धता और बड़े विशिष्ट सतह क्षेत्र वाला AlN पाउडर तैयार किया जा सकता है। वाष्पशील एल्यूमीनियम स्रोत यौगिक (एल्यूमीनियम हैलाइड या एल्काइलएल्यूमीनियम) और अमोनिया (NH₃) प्रतिक्रिया के लिए प्रतिक्रिया कक्ष में पेश किए जाते हैं। प्रतिक्रिया के दौरान, NH₃ सक्रिय नाइट्रोजन परमाणुओं की आपूर्ति के लिए विघटित हो जाता है, और गैस-चरण जमाव के माध्यम से AlN पाउडर बनता है।
इस विधि के लाभों में उच्च उत्पाद शुद्धता और महीन कण आकार शामिल हैं। इसके नुकसान उच्च उत्पादन लागत, सख्त उपकरण आवश्यकताएं और कम थ्रूपुट हैं। फिर भी, एल्काइलएल्यूमीनियम महंगा है और इसे निष्क्रिय गैस सुरक्षा के तहत विशेष भंडारण और परिवहन की आवश्यकता होती है। नतीजतन, यह प्रक्रिया मुख्य रूप से प्रयोगशाला अनुसंधान चरण में बनी हुई है और अभी तक बड़े पैमाने पर औद्योगिकीकरण हासिल नहीं कर पाई है।
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